时间：2025/6/28 23:26:01
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SUD23N06-31_08是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用TO-252/DPAK封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效提升系统效率并降低功耗。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式，这款MOSFET在需要高效能和高可靠性的电子设计中非常受欢迎。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：23A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：27W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装类型：TO-252/DPAK
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少功率损耗，提高转换效率。
2. 高电流处理能力，支持高达23A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. 强大的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅工艺。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和信号调节。
7. LED驱动器及逆变器等高效率应用领域。
IRFZ44N, FDP17N6, STP23NF06L
