时间：2025/5/12 15:48:50
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SUD23N06-31-T4-GE3是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。SUD23N06系列以其出色的性能和可靠性被广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域。
该器件主要特点包括低导通电阻、高电流能力、良好的热性能以及ESD保护设计，能够满足严苛工作环境下的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：23A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间（典型值）：10ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
SUD23N06-31-T4-GE3具备以下主要特性：
1. 低导通电阻，可有效降低功耗并提升效率。
2. 高速开关性能，适合高频开关应用。
3. 提供强大的过流能力和散热性能，确保在大功率应用中的稳定性。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 内置ESD保护功能，提高抗静电能力。
这款MOSFET适用于多种场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
3. 电机驱动与控制
4. LED驱动电路
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的功率管理模块
7. 电池充电及管理系统
SUD23N06L-31-E3, SUD23N06-31-E3
