时间：2025/4/7 10:05:53
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SUD20N10-66L-GE3是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPAK）封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其耐压能力为100V，能够承受较大的电流负载，同时具备优秀的热性能和稳定性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：20A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1080pF
工作温度范围：-55℃至175℃
主要特点是低导通电阻（Rds(on)），这使其在高效功率转换应用中表现优异。此外，该器件的快速开关能力和较低的栅极电荷确保了其在高频电路中的良好性能。
其封装形式TO-263（DPAK）提供了良好的散热性能，并且适合表面贴装工艺。该器件还具有较高的雪崩击穿能量，增强了其在异常条件下的鲁棒性。
SUD20N10-66L-GE3的高温工作能力使得它能够在严苛环境下稳定运行，适合汽车、工业以及消费电子领域的多种应用场景。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电动工具、家用电器、LED驱动器和电池管理系统等领域。其高性能特点特别适合需要高效率和高可靠性的电路设计。
在汽车电子领域，SUD20N10-66L-GE3可以用于车身控制模块、引擎控制单元以及电动助力转向系统等关键组件。此外，该器件也适用于光伏逆变器和不间断电源（UPS）中的功率管理部分。
SUD20N10-66L-G, IRF2807ZPBF, FDP029N10L
