时间：2025/6/16 10:26:59
阅读：4
SUD19P06-60 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及负载控制等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在多种电子设备中使用。
型号：SUD19P06-60
类型：P 沟道 MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：19mΩ（典型值，在 VGS=-4.5V 条件下）
ID（连续漏极电流）：36A
栅极电荷：28nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
SUD19P06-60 具有较低的导通电阻，能够显著减少功率损耗，提高系统效率。其高击穿电压和大电流承载能力使其适用于严苛的工作环境。同时，该器件具备出色的热稳定性，在高温条件下依然能保持可靠的性能。
此外，它具有快速开关特性，可以降低开关损耗，特别适合高频应用。器件的紧凑封装形式也便于安装和散热设计，进一步增强了其适用性。
SUD19P06-60 的典型优点包括：
- 超低导通电阻以减少功耗
- 高效的开关性能
- 较宽的工作温度范围，适应多种场景
- 高可靠性与长寿命
- 紧凑且易于集成的封装
SUD19P06-60 常用于以下领域：
- 开关电源中的高端开关
- 直流电机驱动和控制
- 电池保护电路
- 工业自动化设备中的负载切换
- LED 驱动器
- 通信设备的电源管理
- 汽车电子系统的电源开关
凭借其高性能和可靠性，这款 MOSFET 成为许多复杂电子系统中不可或缺的一部分。
SUD19P06-55, IRF5305, FDP19N06L
