时间：2025/6/17 10:20:38
阅读：3
SUD06N10-255L-T1-E3是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理和驱动电路。其封装形式为TO-252（DPAK），有助于散热并提高系统的可靠性。
该型号属于逻辑电平驱动MOSFET，意味着其栅极阈值电压较低，适合由微控制器或其他数字逻辑电路直接驱动，简化了设计复杂度。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏电流(Id)：6.7A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：95mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：20nC
总功耗(Ptot)：1.4W
工作温度范围：-55°C to +150°C
封装形式：TO-252(DPAK)
SUD06N10-255L-T1-E3具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高速开关性能，能够满足高频开关应用的需求。
3. 低栅极电荷，减少了驱动损耗，提升了整体能效。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 封装紧凑，易于集成到空间受限的设计中。
这些特性使该器件非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场景。
SUD06N10-255L-T1-E3广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
2. 电池管理系统(BMS)，用于保护和控制电池充放电过程。
3. 各种类型的电机驱动电路，包括步进电机、直流无刷电机等。
4. 消费类电子产品中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED驱动器和背光电路。
由于其出色的性能和可靠性，这款MOSFET成为许多现代电子系统的关键元件。
SUD06N10-255L-T1-E4
SUD06N10-255L-T2-E3
IRFZ44N
FDP5500
AO3400
