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SUD06N10-225L 发布时间 时间:2025/6/13 8:43:07 查看 阅读:8

SUD06N10-225L是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的场景中。其低导通电阻和出色的开关特性使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
  该型号由意法半导体(STMicroelectronics)制造,具有较高的可靠性和稳定性,能够在高电压和大电流条件下正常工作。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:140mΩ
  栅极阈值电压:2V~4V
  功耗:8W
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

SUD06N10-225L具有较低的导通电阻,能够减少传导损耗并提高效率。同时,它具备快速的开关速度,可以降低开关损耗,从而在高频开关应用中表现优异。
  该器件还具有较强的雪崩能力,可承受短时间内的过压冲击,提升了系统的鲁棒性。此外,其TO-220封装便于散热设计,适合对热管理有较高要求的应用环境。
  SUD06N10-225L支持较宽的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行,非常适合工业和汽车领域的需求。

应用

SUD06N10-225L适用于多种电力电子应用,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制电路、电池保护电路以及负载开关等场景。
  在消费类电子产品中,该器件可用于笔记本电脑适配器、LED驱动器和家用电器的功率控制模块。而在工业领域,它也可用作自动化设备中的功率开关元件。另外,由于其良好的耐热性能,在新能源汽车的电池管理系统(BMS)中也有一定的应用潜力。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP5503

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SUD06N10-225L参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流6.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)200 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3
  • 封装Reel
  • 下降时间8 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.5 W
  • 上升时间8 ns
  • 工厂包装数量2000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间8 ns