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SUB40N06-25L 发布时间 时间:2025/6/17 16:34:01 查看 阅读:3

SUB40N06-25L是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它被广泛用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景中。该器件采用SOT-23封装,具有小体积、高效率的特点,非常适合便携式设备和空间受限的设计。
  这种MOSFET的主要功能是通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动,适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他电力电子应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:1.1A
  导通电阻:1.4Ω
  功耗:0.66W
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

SUB40N06-25L具备低导通电阻,能够减少传导损耗并提高系统效率。
  其小尺寸的SOT-23封装非常适合于紧凑型设计,并且由于其出色的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
  此外,该器件还具有快速开关速度,有助于降低开关损耗,适合高频应用环境。
  在电气保护方面,SUB40N06-25L内置了反向极性保护功能,可以防止因错误连接导致的损坏。

应用

SUB40N06-25L常用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC转换器中的开关元件
  3. 负载开关和电池管理电路
  4. 电机驱动和LED驱动
  5. 各类消费类电子产品中的电源管理单元
  6. 通信设备中的信号切换

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDS2503
  STB40NF06L

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SUB40N06-25L参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流40 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)22 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-263-3
  • 封装Reel
  • 下降时间7 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3.7 W
  • 上升时间9 ns
  • 工厂包装数量800
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间28 ns