STX117-AP 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的低功耗、高性能的射频(RF)晶体管,主要用于无线通信系统中的射频功率放大器应用。该器件采用先进的硅双极工艺制造,具有优异的高频性能和可靠性。STX117-AP 通常用于工作在 VHF/UHF 频段的通信设备中,如无线对讲机、广播设备、工业控制和无线基础设施等。
类型:射频晶体管
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):150 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):300 mW
截止频率(fT):250 MHz
封装类型:TO-92
增益带宽积:150 MHz
存储温度范围:-65°C 至 150°C
工作温度范围:-65°C 至 150°C
STX117-AP 射频晶体管具有多项显著特性,使其在高频通信应用中表现出色。首先,其高截止频率(fT)达到 250 MHz,使其适用于 VHF 和 UHF 波段的射频放大任务。其次,该晶体管采用 NPN 结构,具备良好的线性放大能力和低失真性能,有助于提高信号传输质量。
此外,STX117-AP 的最大集电极电流为 150 mA,最大集电极-发射极电压为 30 V,能够在相对较高的电压和电流下稳定工作,适用于多种低功率射频放大场景。其最大功耗为 300 mW,确保在连续工作时仍能保持良好的热稳定性。
该器件采用 TO-92 封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合各种 PCB 设计。同时,其宽广的工作温度范围(-65°C 至 150°C)使其能够在恶劣环境下稳定运行,增强了设备的可靠性。
STX117-AP 还具有较高的增益带宽积(150 MHz),提供优异的增益性能,适用于需要高增益放大的射频电路设计。由于其优良的线性度和低噪声系数,该晶体管常被用于射频前端放大器、驱动放大器和中功率放大器阶段。
STX117-AP 主要应用于无线通信设备中的射频放大电路,如对讲机、无线麦克风、广播发射器、无线传感器网络、遥控设备和工业自动化系统。由于其良好的高频性能和稳定性,该器件也广泛用于射频测试仪器、教育实验平台和业余无线电设备中。
在对讲机设计中,STX117-AP 常用于射频驱动级放大器,提供足够的信号增益以推动后续的功率放大器。在无线遥控系统中,该晶体管可用于射频发射模块的信号放大,提高通信距离和信号稳定性。
在广播设备中,STX117-AP 可作为 FM 收音机发射器的前置放大器,提升信号强度并减少噪声干扰。此外,在射频识别(RFID)系统和低功率无线数据传输设备中,该晶体管也能发挥良好的信号放大作用。
由于其封装小巧、性能稳定,STX117-AP 也适用于教育和科研实验中的射频电路设计,帮助学生和工程师理解射频晶体管的工作原理和应用方法。
2N3904, BC547, BFQ54, PN2222A