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STW9NK95Z 发布时间 时间:2025/6/13 18:40:00 查看 阅读:6

STW9NK95Z 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。STW9NK95Z 具有低导通电阻和快速开关速度,可有效降低功率损耗并提升系统性能。
  此功率 MOSFET 采用先进的制造工艺设计,使其在高频工作条件下依然保持高效表现,同时具备良好的热特性和耐用性。

参数

最大漏源电压:95V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:8.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:38nC(典型值)
  开关时间:ton=7ns,toff=20ns(典型值)
  功耗:25W(最大值)
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

STW9NK95Z 的主要特点是其低导通电阻和高效率的开关性能。这使得它非常适合用于需要高性能功率转换的应用中。具体特性包括:
  - 极低的 Rds(on),能够显著减少传导损耗。
  - 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提高整体效率。
  - 高额定电压和电流,保证了器件在复杂负载条件下的可靠性。
  - 热稳定性强,支持长时间高温运行环境。
  - 封装兼容性强,便于集成到现有电路设计中。
  - 提供出色的 ESD 和短路保护能力,增强系统的安全性。

应用

STW9NK95Z 广泛应用于以下领域:
  - 开关电源 (SMPS) 中的功率级控制。
  - DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
  - 电机驱动和逆变器电路中的功率输出级。
  - LED 驱动器和其他高效能电源管理模块。
  - 工业自动化设备中的电源和信号调节部分。
  - 太阳能微型逆变器及电池管理系统中的功率分配组件。

替代型号

STW9NK90Z, STW16NM60, IRFZ44N

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STW9NK95Z参数

  • 现有数量1,030现货
  • 价格1 : ¥25.20000管件
  • 系列SuperMESH?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)950 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.38 欧姆 @ 3.6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2256 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)160W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3