时间：2025/5/24 15:12:30
阅读：26
STW9NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。STW9NK90Z以其高击穿电压和低导通电阻为特点，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款功率MOSFET的工作电压范围较宽，能够承受较高的漏源极电压，同时具备快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：9A
导通电阻：1.5Ω
栅极电荷：48nC
总功耗：160W
工作结温范围：-55℃至+175℃
STW9NK90Z的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达900V，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，在典型条件下仅为1.5Ω，有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能，具有较小的栅极电荷，有助于提高工作效率。
4. 强大的散热能力，支持高达160W的总功耗。
5. 广泛的工作温度范围，可适应恶劣的工业环境。
6. 采用标准TO-220封装，便于安装与散热设计。
STW9NK90Z适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动器，用于控制直流电机或步进电机。
3. 工业逆变器和变频器。
4. 充电器和电池管理系统。
5. 各类高压开关电路。
其高击穿电压和大电流承载能力使其非常适合在高压、大功率场合中使用。
IRF840,
STW17N50,
FQA16N50C
