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STW9NK90Z 发布时间 时间:2025/5/24 15:12:30 查看 阅读:18

STW9NK90Z是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。STW9NK90Z以其高击穿电压和低导通电阻为特点,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
  这款功率MOSFET的工作电压范围较宽,能够承受较高的漏源极电压,同时具备快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压:900V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:1.5Ω
  栅极电荷:48nC
  总功耗:160W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

STW9NK90Z的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压可达900V,适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻,在典型条件下仅为1.5Ω,有效降低传导损耗。
  3. 快速开关性能,具有较小的栅极电荷,有助于提高工作效率。
  4. 强大的散热能力,支持高达160W的总功耗。
  5. 广泛的工作温度范围,可适应恶劣的工业环境。
  6. 采用标准TO-220封装,便于安装与散热设计。

应用

STW9NK90Z适用于多种电力电子应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动器,用于控制直流电机或步进电机。
  3. 工业逆变器和变频器。
  4. 充电器和电池管理系统。
  5. 各类高压开关电路。
  其高击穿电压和大电流承载能力使其非常适合在高压、大功率场合中使用。

替代型号

IRF840,
  STW17N50,
  FQA16N50C

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STW9NK90Z参数

  • 其它有关文件STW9NK90Z View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.3 欧姆 @ 3.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2115pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-2784-5