STW9N150 时间：2025/7/23 17:11:06 阅读：8

STW9N150 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET，适用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器以及其他高功率电子系统。STW9N150 采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持优异的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：9A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.1Ω，最大值1.35Ω
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW9N150 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高达1500V的漏源击穿电压（VDS）使其非常适合用于高电压电源系统，如工业电机驱动和高压DC-DC转换器。此外，该器件的导通电阻较低（典型值为1.1Ω），在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　其次，该MOSFET具有良好的热稳定性，采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提高可靠性和使用寿命。该器件的栅极驱动电压范围宽（±30V），允许灵活的驱动设计，并具备较强的抗过压能力。
　　另外，STW9N150 的封装设计符合行业标准，易于安装和替换，并且具有较高的短路耐受能力，适合在严苛环境下工作。其高脉冲电流能力（IDM可达36A）也使得该器件能够应对突发的高电流需求，适用于需要瞬态负载管理的场合。

应用

STW9N150 MOSFET 主要应用于高电压和高功率电子系统，例如：工业电源、高压开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池充电器、电机控制器、电焊设备以及照明系统。此外，该器件也可用于新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电控制系统，作为关键的开关元件使用。在汽车电子方面，该MOSFET可用于车载充电系统和高压辅助设备控制电路中，发挥高效能开关作用。