STW8NB100 时间：2025/12/24 19:45:26 阅读：11

STW8NB100 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能射频功率晶体管，专为高功率射频放大应用设计。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频段（如UHF、L波段和S波段）提供优异的功率增益和效率。STW8NB100 主要用于无线通信基础设施、广播发射机、工业加热系统以及测试设备等需要高功率射频输出的领域。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　最大漏极电压：125V
　　最大漏极电流：4A
　　工作频率范围：DC至3.5GHz
　　输出功率（典型值）：100W
　　增益（典型值）：20dB
　　效率（典型值）：65%
　　输入驻波比（VSWR）：<2.0:1
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　封装型号：STW8NB100
　　热阻（结到壳）：1.0°C/W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

STW8NB100 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其采用了先进的LDMOS技术，使得器件在高频下依然保持较高的功率增益和线性度，非常适合宽带射频放大器应用。该晶体管在3.5GHz以下的频率范围内具有良好的匹配特性，无需额外的输入匹配网络即可实现高增益放大。此外，STW8NB100具备出色的热管理能力，其低热阻（1.0°C/W）确保了在高功率运行时的稳定性与可靠性，延长了器件的使用寿命。
　　该器件的输入驻波比（VSWR）低于2.0:1，表明其在广泛的工作频率范围内具有良好的阻抗匹配能力，减少了信号反射和功率损耗。同时，STW8NB100的高效率（典型值为65%）降低了对散热系统的要求，有助于提高整体系统的能效和紧凑性。由于其高可靠性、高耐用性和良好的线性性能，STW8NB100适用于多种严苛环境下的射频功率放大应用。

应用

STW8NB100 主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机、射频测试设备、工业加热系统以及雷达系统等领域。在无线通信系统中，该晶体管可用于实现高功率放大器模块，支持多种调制格式（如QAM、OFDM等），满足现代通信系统对高数据速率和高质量信号传输的需求。此外，该器件还可用于工业和科学仪器中的射频能量控制和测量系统。由于其良好的宽带特性和高可靠性，STW8NB100也广泛应用于军事和航空航天领域的射频功率放大系统中。