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STW8N120K5 发布时间 时间:2025/5/14 19:15:34 查看 阅读:19

STW8N120K5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件适用于高压开关应用,如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。它具有低导通电阻、高雪崩能力以及出色的热性能,能够满足高效能功率转换的需求。
  这款MOSFET的最大漏源电压为1200V,具备快速开关特性,同时在高温环境下也具有较高的可靠性。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(Rds(on)):3.5Ω(典型值,当Vgs=15V时)
  栅极电荷:55nC(典型值)
  开关速度:快速恢复
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

STW8N120K5的主要特点是其高压性能和较低的导通电阻,能够在高压条件下实现高效的功率转换。此外,它的栅极电荷较小,有助于降低开关损耗,并提高整体系统效率。
  该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,使其在恶劣的工作环境中仍能保持可靠运行。其快速开关特性也有助于减少电磁干扰(EMI),并在高频应用中表现出色。
  由于采用了TO-247封装,STW8N120K5具有较好的散热性能,便于用户进行热管理和设计优化。

应用

STW8N120K5适用于多种高压功率转换场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 工业电机驱动
  3. 太阳能逆变器
  4. DC-DC转换器
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 高压负载切换控制
  这些应用均依赖于其高耐压能力和快速开关性能,从而实现更高效和可靠的电路设计。

替代型号

STW8N120H5
  STW8N120K6
  IRFP460
  FDP16N120

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STW8N120K5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥63.60000管件
  • 系列MDmesh? K5
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 欧姆 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)505 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247
  • 封装/外壳TO-247-3