时间：2025/5/14 19:15:34
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STW8N120K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件适用于高压开关应用，如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。它具有低导通电阻、高雪崩能力以及出色的热性能，能够满足高效能功率转换的需求。
这款MOSFET的最大漏源电压为1200V，具备快速开关特性，同时在高温环境下也具有较高的可靠性。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（典型值，当Vgs=15V时）
栅极电荷：55nC（典型值）
开关速度：快速恢复
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
STW8N120K5的主要特点是其高压性能和较低的导通电阻，能够在高压条件下实现高效的功率转换。此外，它的栅极电荷较小，有助于降低开关损耗，并提高整体系统效率。
该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，使其在恶劣的工作环境中仍能保持可靠运行。其快速开关特性也有助于减少电磁干扰（EMI），并在高频应用中表现出色。
由于采用了TO-247封装，STW8N120K5具有较好的散热性能，便于用户进行热管理和设计优化。
STW8N120K5适用于多种高压功率转换场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. DC-DC转换器
5. 电池管理系统（BMS）
6. 高压负载切换控制
这些应用均依赖于其高耐压能力和快速开关性能，从而实现更高效和可靠的电路设计。
STW8N120H5
STW8N120K6
IRFP460
FDP16N120
