时间：2025/5/10 9:46:41
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STW70N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于高效率开关电源、电机驱动以及各种工业应用中。该芯片能够承受高达600V的漏源极电压，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
STW70N60M2采用TO-220封装形式，这种封装便于散热并适合多种应用场景。同时，它还符合RoHS标准，满足环保要求。
漏源极电压：600V
连续漏极电流：7A
导通电阻：1.5Ω
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=48ns，toff=35ns
功耗：280W
工作温度范围：-55℃至+175℃
STW70N60M2具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，在额定条件下仅为1.5Ω，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，其栅极电荷小（39nC），可以实现高效的高频操作。
3. 高耐压能力，最大漏源极电压为600V，适用于高压环境下的各类电路设计。
4. 强大的电流承载能力，连续漏极电流可达7A，峰值电流更高。
5. 良好的热性能，采用TO-220封装，方便安装与散热，确保长时间稳定运行。
6. 宽工作温度范围，从-55℃到+175℃，适应各种恶劣环境条件。
7. 符合RoHS标准，绿色环保，适合现代电子产品的需求。
STW70N60M2广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、充电器等。
2. 工业电机控制及驱动电路。
3. 各类逆变器和转换器设计。
4. 高效功率管理模块。
5. 电磁阀和继电器驱动。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
STW75N60M2
IRFP460
FDP18N60
