时间：2025/7/22 7:51:36
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STW60N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的M5技术，具有较低的导通电阻和较高的能效，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和功率因数校正等应用场景。STW60N65M5具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：60A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大36mΩ
栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
STW60N65M5 采用STMicroelectronics的M5技术，提供了优异的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），从而降低了高频开关应用中的驱动损耗。STW60N65M5还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具有较高的耐用性和可靠性。其TO-247封装设计有助于高效散热，适用于高功率密度设计。
该MOSFET还具有较强的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高系统的安全性和稳定性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。
STW60N65M5 广泛应用于多种高功率电子系统，包括工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、功率因数校正（PFC）电路以及新能源系统如太阳能逆变器和电动车充电模块。由于其优异的导通性能和高可靠性，它也常用于汽车电子系统中的功率管理模块。
STW75N65M5, STW80N65M5, IPP60N65CFDA2
