您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STW57N65M5

STW57N65M5 发布时间 时间:2025/5/19 9:23:33 查看 阅读:15

STW57N65M5是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh V技术制造,适用于高电压、大电流应用场合。其额定电压为650V,具有低导通电阻和出色的开关性能,能够有效降低功率损耗并提高效率。
  STW57N65M5的典型应用场景包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器以及可再生能源系统中的功率转换模块等。得益于其优异的热特性和可靠性,这款MOSFET适合要求严苛的工业和消费电子领域。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:5.9A
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:38nC
  输入电容:2440pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

STW57N65M5具有以下关键特性:
  1. 高耐压能力,额定650V确保在高压环境下的稳定性。
  2. MDmesh V技术的应用显著降低了导通电阻,从而减少传导损耗。
  3. 快速开关特性,使得该器件非常适合高频应用。
  4. 低栅极电荷设计有助于减少开关过程中的能量损失。
  5. 广泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),增强了其在极端条件下的适用性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子设备的要求。

应用

STW57N65M5适用于多种电力电子应用,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和高效能量传输。
  3. 工业电机控制和驱动电路。
  4. 新能源领域的逆变器和整流器,如太阳能发电系统。
  5. 各类家电产品中的功率管理模块,如空调、冰箱等。
  6. 能量回收装置和其他需要高效率功率转换的场景。

替代型号

STW59N65M5, STW60N65M5

STW57N65M5推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STW57N65M5参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Mdmesh™ V
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C63 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4200pF @ 100V
  • 功率 - 最大250W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件
  • 工具箱497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
  • 其它名称497-13125-5