STW57N65M5 时间：2025/5/19 9:23:33 阅读：15

STW57N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh V技术制造，适用于高电压、大电流应用场合。其额定电压为650V，具有低导通电阻和出色的开关性能，能够有效降低功率损耗并提高效率。
　　STW57N65M5的典型应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及可再生能源系统中的功率转换模块等。得益于其优异的热特性和可靠性，这款MOSFET适合要求严苛的工业和消费电子领域。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：5.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：38nC
　　输入电容：2440pF
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

STW57N65M5具有以下关键特性：
　　1. 高耐压能力，额定650V确保在高压环境下的稳定性。
　　2. MDmesh V技术的应用显著降低了导通电阻，从而减少传导损耗。
　　3. 快速开关特性，使得该器件非常适合高频应用。
　　4. 低栅极电荷设计有助于减少开关过程中的能量损失。
　　5. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），增强了其在极端条件下的适用性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备的要求。

应用

STW57N65M5适用于多种电力电子应用，例如：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节和高效能量传输。
　　3. 工业电机控制和驱动电路。
　　4. 新能源领域的逆变器和整流器，如太阳能发电系统。
　　5. 各类家电产品中的功率管理模块，如空调、冰箱等。
　　6. 能量回收装置和其他需要高效率功率转换的场景。