时间：2025/7/22 5:43:00
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STW56N65DM2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效能的电源转换系统中。该器件采用了先进的MDmesh DM2技术，具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的开关性能，适用于如电源供应器、工业电机控制和DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：56A
漏极-源极击穿电压（Vds）：650V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大0.085Ω（典型值0.075Ω）
功耗（Ptot）：180W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247AC
STW56N65DM2的主要特性包括：先进的MDmesh DM2技术显著降低了导通电阻并提高了器件的耐压能力，从而提升了整体能效；低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗并降低工作温度；该MOSFET具有高电流处理能力，支持高达56A的漏极电流，适用于高负载应用；其高栅极-源极电压耐受性（±20V）增强了器件在恶劣环境下的稳定性和可靠性；此外，TO-247AC封装形式提供了良好的散热性能，确保了在高功率条件下的稳定运行；该器件还具备快速开关特性，可有效减少开关损耗并提高系统效率。
STW56N65DM2的设计优化了动态性能，使其在高频开关应用中表现出色，减少了电磁干扰（EMI）并提高了系统的整体稳定性。此外，该MOSFET具备优良的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能，适用于各种工业级和汽车级应用场景。
STW56N65DM2广泛应用于各类高功率电子设备中，例如：电源供应器中的DC-DC转换器和AC-DC整流器；工业电机驱动和变频器控制系统；太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块；电动汽车充电设备和车载DC-DC转换器；LED照明驱动电源以及家用电器中的高效能电源管理模块。此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）和服务器电源系统，以提高系统的能效和可靠性。
STW56N65DM2的替代型号包括STW48NM60ND、STW55NM60ND和IPW60R070P7。
