时间：2025/5/22 13:45:01
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STW48NM60N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沣道沟槽功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和优异的开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
这款 MOSFET 集成了多种特性以优化效率和可靠性，其耐压值为 600V，能够承受较高的漏源电压，同时具有快速开关速度和较低的栅极电荷。这使得 STW48NM60N 成为高效率电力电子设计的理想选择。
额定电压：600V
最大连续漏电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：25nC（典型值）
输入电容：1350pF（典型值）
反向恢复时间：75ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
STW48NM60N 提供了出色的电气特性和可靠性：
1. 高耐压能力，可确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于降低开关损耗。
4. 内部采用了优化的结构设计，提高了散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 具有良好的雪崩能力和抗 ESD 性能，增强器件的耐用性。
STW48NM60N 广泛应用于各种高电压、大功率的电力电子设备中，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关元件。
3. 逆变器和 UPS 系统中的关键组件。
4. 电机驱动和控制电路中的功率输出级。
5. PFC（功率因数校正）电路中的升压开关。
6. 各类工业及消费类电子产品的功率管理模块。
STW49NM60N
STW47NM60N
