STW47NM60 时间：2025/7/22 21:20:08 阅读：8

STW47NM60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的StripFET?技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于各种高效率功率转换应用。STW47NM60的漏源电压（VDS）为600V，连续漏极电流（ID）可达47A，在电源管理和功率开关电路中表现出色。该MOSFET通常用于开关电源（SMPS）、电机驱动、照明镇流器和逆变器等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：600V
　　连续漏极电流(ID)：47A @ TC=100℃
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：0.15Ω @ VGS=10V
　　工作温度：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(PD)：300W

特性

STW47NM60的主要特性之一是其优异的导通性能和低开关损耗，这得益于其先进的StripFET?结构。这种结构能够显著降低导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用，如开关电源和电机控制。
　　该器件的另一个显著特点是其良好的热管理能力。TO-247封装具有较大的散热面积，能够有效散发工作时产生的热量，从而提高器件的稳定性和可靠性。此外，STW47NM60还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，减少损坏风险。
　　在驱动能力方面，STW47NM60的栅极电荷较低，使得其在高频开关应用中表现出色。低栅极电荷有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体系统的效率。这使得该器件非常适合用于高频变换器和DC-DC转换器等应用。
　　最后，STW47NM60具备良好的抗短路能力和较高的耐用性，可以在较为恶劣的工作环境下稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃）使其适用于各种工业和消费类应用。

应用

STW47NM60广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、PFC（功率因数校正）电路、电机驱动器、照明电子镇流器以及太阳能逆变器等。
　　在开关电源中，STW47NM60可用于主开关或同步整流器，其低导通电阻和高耐压能力可以有效提升电源效率和稳定性。在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可作为功率开关，实现对电机的精确控制。
　　此外，STW47NM60也适用于各种工业自动化设备和消费电子产品，如变频器、UPS不间断电源和LED照明系统等。其优异的热管理和高频性能使其成为高性能电源设计的理想选择。