STW25N95K3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高功率、高频率的开关应用,具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能。STW25N95K3采用先进的MESH OVERLAY技术,提供了更高的效率和可靠性,适用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理。该器件封装为TO-247,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):950V
漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):0.35Ω
栅极阈值电压(Vgs(th)):3.5V至5V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:TO-247
功率耗散(Ptot):200W
STW25N95K3具有多项先进特性,确保其在高压高功率应用中的稳定性和效率。
首先,该MOSFET采用了意法半导体的MESH OVERLAY技术,使电场分布更均匀,从而提高了器件的击穿电压能力和可靠性。这项技术还能降低导通损耗,提高能效。
其次,STW25N95K3的导通电阻(Rds(on))仅为0.35Ω,显著减少了导通状态下的功率损耗,有助于提高整体系统的能效。这对于需要长时间高负载运行的应用(如电源转换器和工业电机控制)尤为重要。
此外,该器件具有较高的电流承受能力,在25A的漏极电流下仍能保持良好的工作性能,适用于大功率负载管理。同时,其TO-247封装设计具备良好的散热能力,有助于在高功率运行时保持较低的结温,延长器件寿命。
STW25N95K3还具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行,从而提升系统的安全性。其栅极驱动特性优化,使得在高频开关应用中具有较低的开关损耗,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机控制电路等场合。
最后,该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,适应性强,能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
STW25N95K3广泛应用于需要高压和高效率的电力电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可用于主开关电路,提供高效率和紧凑的电源设计。在DC-DC转换器中,STW25N95K3的低导通电阻和高耐压特性使其成为理想的选择,有助于提高转换效率并降低系统损耗。在电机控制和工业自动化系统中,该MOSFET可用于驱动大功率负载,如直流电机和电磁阀,提供稳定的开关性能。此外,该器件还可用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电焊设备等高功率应用。其高可靠性和优异的热管理能力,使其在高温和高湿度环境下也能稳定运行。
STW25N95K5, STW20N95K3, STW31N95K3