STW21NM60ND 时间：2025/7/23 13:15:31 阅读：4

STW21NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高电压N沟道MOSFET功率晶体管。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和卓越的热性能。STW21NM60ND采用TO-247封装，适用于各种功率转换设备，如电源、逆变器和电机控制应用。其内部集成了快速恢复二极管（FRD），有助于减少外部元件数量并提高系统可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：21A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：54nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW21NM60ND具有多项优异的电气和热性能，能够满足高要求的功率应用需求。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效能。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压操作环境，同时具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性。
　　该MOSFET内置快速恢复二极管（FRD），能够在反向恢复过程中减少能量损耗并降低电磁干扰（EMI）。这不仅提高了系统效率，还简化了外围电路设计，减少了元件数量和整体尺寸。STW21NM60ND的TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率密度应用中的稳定运行。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定。其设计优化了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机驱动系统。STW21NM60ND还具备较强的短路耐受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。

应用

STW21NM60ND广泛应用于各种高电压、高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制和工业自动化设备。其高效能和高可靠性使其成为电动汽车充电系统、LED照明驱动电路以及家电电源模块的理想选择。
　　在电源管理领域，该器件常用于PFC（功率因数校正）电路和全桥/半桥拓扑结构，以提高电源效率并减少能量损耗。在电机控制应用中，STW21NM60ND可作为高效逆变器桥臂开关，支持精确的PWM控制和快速响应。此外，其集成的快速恢复二极管使其在高频变换器和谐振变换器中表现出色，减少了外围元件数量并提高了系统稳定性。