时间：2025/7/22 5:48:09
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STW20N95DK5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率应用，例如汽车电子、工业控制和电源管理。该器件采用了先进的技术，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。STW20N95DK5的封装形式为TO-220，适合需要高可靠性和高效能的电路设计。该器件的漏源极电压（VDS）最大可达950V，而漏极电流（ID）在25°C温度下可以达到20A。这使得它成为许多高功率需求场景的理想选择。
型号: STW20N95DK5
制造商: STMicroelectronics
晶体管类型: N沟道MOSFET
封装类型: TO-220
漏源极电压（VDS）: 950V
漏极电流（ID）: 20A（@25°C）
栅极阈值电压（VGS(th)）: 2.1V~4V
工作温度范围: -55°C~150°C
导通电阻（RDS(on)）: 0.18Ω（@VGS=10V）
功率耗散（PD）: 50W
漏极峰值电流（IDM）: 80A
STW20N95DK5是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力。该器件的RDS(on)值仅为0.18Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的漏极电流能力高达20A，能够在高负载条件下稳定运行。
STW20N95DK5采用了先进的工艺技术，确保了器件在高温和高压环境下的可靠性。其栅极阈值电压范围为2.1V~4V，使其适用于多种驱动电路设计。此外，该器件的最大工作温度范围为-55°C~150°C，适应各种极端环境条件。
这款MOSFET的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于各种高功率应用场景。其50W的功率耗散能力确保了器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，STW20N95DK5具备高达80A的漏极峰值电流能力，使其能够承受短时间的高电流冲击，适用于需要高可靠性的应用场合。
STW20N95DK5广泛应用于多个领域，包括汽车电子、工业自动化和电源管理系统。在汽车电子中，该器件可用于电机驱动、车载充电器和电源转换器等应用。其高电压和高电流处理能力使其成为电动车和混合动力汽车的理想选择。
在工业自动化领域，STW20N95DK5可用于PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动和电源管理模块。其高可靠性和稳定性确保了工业设备在恶劣环境下的正常运行。此外，该器件还可用于UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能转换器等应用，提升系统的整体效率和性能。
在消费电子领域，STW20N95DK5可用于高功率电源适配器、充电器和LED照明系统。其高效的能量转换能力有助于降低功耗和发热，提高设备的使用寿命。
STW20N95K5, STW25N95K5, STW20NK95Z
