STW10N100E是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用先进的技术制造,具有优异的导通和开关性能,适用于多种高功率电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):1000V
最大漏极电流(ID):10A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.85Ω
最大栅源电压(VGS):±30V
最大功耗(PD):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-247
STW10N100E具备低导通电阻特性,这使得该器件在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。此外,该MOSFET具有优异的热稳定性和高耐压能力,适合在恶劣的工作环境中使用。
这款功率MOSFET还具有快速开关能力,能够在高频率下运行,适用于需要高速开关的电源转换器、逆变器和电机控制电路。其封装形式为TO-247,便于散热和安装,提高了器件在高功率应用中的可靠性。
STW10N100E的设计优化了开关损耗,从而减少了对散热器的需求,降低了系统成本。该器件还具备良好的抗过载能力和抗短路能力,能够在极端条件下保持稳定运行。
STW10N100E广泛应用于多种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器和照明控制系统。此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、消费类电子产品和家用电器中的功率控制电路。
由于其高耐压特性和优异的开关性能,STW10N100E也常用于光伏逆变器和电动汽车充电设备等新能源领域。在这些应用中,该器件能够提供高效、稳定的功率转换,满足现代电子系统对能效和可靠性的高要求。
STW15N100E, STW20N100E