时间：2025/7/22 5:46:34
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STW10N100E是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用先进的技术制造，具有优异的导通和开关性能，适用于多种高功率电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1000V
最大漏极电流（ID）：10A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.85Ω
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
STW10N100E具备低导通电阻特性，这使得该器件在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性和高耐压能力，适合在恶劣的工作环境中使用。
这款功率MOSFET还具有快速开关能力，能够在高频率下运行，适用于需要高速开关的电源转换器、逆变器和电机控制电路。其封装形式为TO-247，便于散热和安装，提高了器件在高功率应用中的可靠性。
STW10N100E的设计优化了开关损耗，从而减少了对散热器的需求，降低了系统成本。该器件还具备良好的抗过载能力和抗短路能力，能够在极端条件下保持稳定运行。
STW10N100E广泛应用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器和照明控制系统。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、消费类电子产品和家用电器中的功率控制电路。
由于其高耐压特性和优异的开关性能，STW10N100E也常用于光伏逆变器和电动汽车充电设备等新能源领域。在这些应用中，该器件能够提供高效、稳定的功率转换，满足现代电子系统对能效和可靠性的高要求。
STW15N100E, STW20N100E
