时间：2025/7/23 2:23:37
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STV160NF02LA 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，专为汽车应用设计。该器件采用了先进的STripFET?技术，提供卓越的导通性能和热稳定性，适用于各种高要求的汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
STV160NF02LA MOSFET具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。其先进的封装技术提供了良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。
此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的可靠性。该MOSFET还具有优异的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的汽车电子系统。
该MOSFET的设计符合AEC-Q101汽车电子认证标准，确保其在严苛的汽车环境中具备长期的稳定性和可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，便于系统集成。
STV160NF02LA 主要用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、起停系统、电动水泵、电动风扇控制、电池管理系统（BMS）以及DC-DC转换器等。其优异的导通性能和热管理能力使其在高功率密度和高可靠性要求的应用中表现出色。
此外，该MOSFET也可用于工业自动化系统、电机控制、电源管理以及负载开关应用。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高性能电源转换和控制系统的理想选择。
STL160N4F7AG STW160N4F7AG STP160N4F7AG
