时间：2025/9/6 8:27:04
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STUP06I是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而降低导通损耗，提高系统效率。STUP06I适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。该MOSFET采用紧凑的封装形式，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：60V
漏极电流（ID）：4.2A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω（最大）@ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
STUP06I具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著减少导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。其次，该MOSFET具备高击穿电压（60V），能够在较高的电压环境下稳定工作。此外，STUP06I的封装设计优化了散热性能，确保在高电流负载下仍能保持良好的温度控制。
该器件的栅极结构设计使其具有较低的输入电容和开关损耗，适用于高频开关应用。STUP06I的耐压能力强，具备良好的雪崩能量承受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。其高可靠性与耐用性使其成为工业控制、消费类电子产品和汽车电子应用中的理想选择。
STUP06I广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。例如，在DC-DC转换器中，它可作为主开关器件，实现高效的电压转换；在负载开关和电池管理系统中，STUP06I可用于控制电流流向，保护电路免受过载或短路损害。此外，它也可用于电机驱动电路、LED照明控制以及各种便携式设备的电源管理模块。
STN3NF06L, FDN340P, IRFZ44N
