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STU85N3LH5 发布时间 时间:2025/5/24 14:19:13 查看 阅读:14

STU85N3LH5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点,适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为TO-220 Full-PAK,能够承受较高的电流和电压负载,广泛应用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品等领域。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:85A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:开通时间27ns,关断时间30ns
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-220 Full-PAK

特性

STU85N3LH5采用了意法半导体的MDmesh?技术,显著降低了导通电阻,从而提高了效率并减少了功率损耗。
  该器件具备快速的开关性能,适合高频应用场合。
  其优异的热特性和大电流承载能力,使其成为功率变换器、电机驱动器以及其他高功率应用的理想选择。
  此外,STU85N3LH5在短路保护和抗雪崩能力方面表现卓越,增强了系统的可靠性和安全性。

应用

STU85N3LH5适用于多种功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动器
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统
  7. 家用电器中的功率管理模块

替代型号

STM85N65M5, IRFB754PBF, FDP8441

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STU85N3LH5参数

  • 其它有关文件STU85N3LH5 View All Specifications
  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.4 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称497-12702-5STU85N3LH5-ND