STU65D5 时间：2025/12/25 1:32:48 阅读：15

STU65D5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款低边N沟道功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装。该器件设计用于高电流和高效率的功率开关应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)），适用于电源管理、电机控制、负载开关和DC-DC转换器等多种应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：65A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
　　最大功率耗散：100W
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

STU65D5具备优异的导通性能和快速开关特性，能够在高频率下稳定工作，降低开关损耗。其低导通电阻（Rds(on)）确保在大电流工作条件下，功率损耗较小，从而提高整体系统的效率。此外，该MOSFET采用DPAK封装，具备良好的热管理和散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
　　在制造工艺上，STU65D5采用先进的沟槽式MOSFET技术，提高了器件的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围适中，兼容常见的10V驱动电路，方便在各种电源应用中集成。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，可在严苛的工作条件下保持稳定运行，降低故障率。
　　STU65D5还具备良好的温度稳定性，工作温度范围广泛（通常为-55°C至+175°C），适合在高温或低温环境中使用。这种特性使其在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中均有广泛的应用前景。

应用

STU65D5常用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效、低损耗功率开关的场合。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统、电源管理模块以及各种负载开关控制电路。此外，由于其优异的热性能和高电流能力，该器件也广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、车身控制模块和电动工具驱动电路。
　　在工业领域，STU65D5可用于工业自动化设备的电源模块、电机控制器和不间断电源（UPS）系统。其低导通电阻和高效率特性有助于减少能源浪费，提高设备运行的稳定性。而在消费类电子产品中，该MOSFET可用于电源适配器、笔记本电脑充电电路和智能电源插座等应用。