STU4N62K3 时间：2025/7/22 16:12:06 阅读：11

STU4N62K3 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的SuperMESH技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各种高频率、高效率的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。STU4N62K3的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：17nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STU4N62K3 MOSFET采用了意法半导体先进的SuperMESH技术，这项技术显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时保持了优异的开关性能，从而减少了导通损耗和开关损耗，提高了整体效率。该器件具有高达650V的漏源击穿电压，适用于高压应用环境。
　　此外，STU4N62K3具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。
　　在栅极驱动方面，STU4N62K3的栅极电荷较低，有助于减少驱动损耗，提高开关速度。其阈值电压（VGS(th)）通常在2V至4V之间，适用于常见的栅极驱动电路。整体来看，STU4N62K3是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用。

应用

STU4N62K3广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合于高电压和高效率要求的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明驱动电源、电机控制电路、电池充电器以及工业自动化设备中的负载开关等。
　　由于其高耐压能力和低导通电阻特性，该器件也常用于高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中。在电机驱动应用中，STU4N62K3能够有效减少功率损耗，提高系统效率和稳定性。
　　此外，在工业控制和消费类电子产品中，STU4N62K3也被广泛用于需要高可靠性和高效率的电源管理系统中。例如，UPS不间断电源、智能电表、家用电器中的功率控制模块等都可以采用该器件。