时间：2025/7/22 18:08:14
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STU2N80K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高电压MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件采用先进的技术制造，具备优良的导通和开关性能，适用于各种高效率、高可靠性要求的电源设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：2A
最大栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（具体数值可能因温度和制造工艺而略有不同）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、TO-262、D2PAK等
STU2N80K5具有出色的高压承受能力，最大漏源电压可达到800V，使其在高电压应用中表现优异。该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，其较高的栅源电压容限（±30V）增强了在复杂环境下的工作稳定性。STU2N80K5还具备良好的热稳定性和可靠性，适合在高温条件下运行。由于其优化的设计，该MOSFET在开关过程中表现出较低的损耗，适用于高频开关电源应用。
该器件的封装形式多样，包括常见的TO-220、TO-262和D2PAK等，方便用户根据实际需求进行选型和安装。此外，STU2N80K5还具备较高的抗雪崩能力和过载承受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
STU2N80K5常用于开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关部分。其高电压和中等电流特性使其成为许多中高功率应用的理想选择。
STF2N80K5, STP2N80K5, STW2N80K5
