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STU25N03L 发布时间 时间:2025/5/30 10:19:23 查看 阅读:10

STU25N03L是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为30V,最大连续漏极电流可达25A。这种MOSFET广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理以及工业自动化设备等领域。
  STU25N03L采用了先进的制造工艺,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,从而提高了整体效率。此外,它还具备出色的热性能和可靠性,适合在恶劣环境下使用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  最大连续漏极电流:25A
  最大脉冲漏极电流:100A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  总栅极电荷:17nC
  输入电容:1640pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

STU25N03L具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,特别适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,满足大功率应用需求。
  4. 紧凑的TO-220封装设计,简化PCB布局并节省空间。
  5. 良好的热稳定性和可靠性,确保长期运行无故障。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子设计中。

应用

STU25N03L适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和功率管理。
  3. 电机驱动电路,控制直流或步进电机的速度和方向。
  4. 电池管理系统(BMS),保护电池免受过充、过放和短路影响。
  5. 工业自动化设备中的功率开关和负载控制。
  6. 汽车电子系统,例如电动助力转向和电子刹车控制。

替代型号

IRFZ44N, FDP5599, STP25NF06L

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