时间：2025/6/28 23:24:14
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STU15N20是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该芯片采用TO-220封装形式，适合需要高电流处理能力的场合。其额定电压为200V，连续漏极电流可达15A，能够满足广泛工业和消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：15A
栅极电荷：48nC
导通电阻：0.16Ω
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
STU15N20具有以下关键特性：
1. 高电压耐受能力，额定漏源电压为200V，确保在高压环境下的可靠性。
2. 低导通电阻，仅为0.16Ω（典型值），降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷（48nC），从而减少开关损耗。
4. 宽温度范围支持，能够在-55℃到175℃的环境下稳定运行。
5. 采用标准TO-220封装，易于集成到现有设计中，并具备良好的散热性能。
这些特点使得STU15N20非常适合用于各种开关电源、逆变器、电机驱动和其他功率管理电路。
STU15N20主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和能量传输。
3. 逆变器电路，用于太阳能发电系统或其他交流电源生成。
4. 电机驱动，控制直流无刷电机或步进电机。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高电流承载能力和快速开关特性，STU15N20成为上述应用的理想选择。
STP15H20F, IRF540N
