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STTH6003CW 发布时间 时间:2025/4/30 15:29:34 查看 阅读:32

STTH6003CW是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压MOSFET晶体管,采用TO-220封装形式。这款器件适用于高电压应用场合,例如开关电源、电机驱动和逆变器等。其设计旨在提供高效能表现和良好的散热性能,同时确保稳定性和可靠性。

参数

型号:STTH6003CW
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):3A
  功耗(PD):180W
  封装:TO-220
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  导通电阻(RDS(on)):≤4.5Ω at VGS=10V

特性

STTH6003CW具有出色的电气特性和物理设计特点。
  1. 高击穿电压:高达600V的漏源电压使其非常适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻:在VGS为10V时,导通电阻不超过4.5Ω,有助于降低功率损耗。
  3. 快速开关性能:由于优化了内部结构,该器件能够实现快速开启和关断,从而提高效率并减少开关损耗。
  4. 稳定性:即使在极端条件下,如高温或高负载情况下,STTH6003CW也能保持稳定的性能。
  5. 散热性能优越:采用标准TO-220封装,具备优秀的散热能力,方便用户进行电路设计与安装。

应用

STTH6003CW广泛应用于多种高压电子设备中:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效转换电能。
  2. 电机控制:在工业自动化和家用电器领域,用于调节电机的速度和方向。
  3. 逆变器:将直流电转化为交流电,常见于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)。
  4. 负载切换:在电信基础设施中,用于保护电路免受过载影响。
  5. 过压保护:在各种电子设备中起到关键的保护作用。

替代型号

STTH6003CWT, STTH6003CWG

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STTH6003CW参数

  • 其它有关文件STTH6003 View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 30A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电60µA @ 300V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)30A
  • 电压 - (Vr)(最大)300V
  • 反向恢复时间(trr)55ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔,径向
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-2720-5