时间：2025/4/30 15:29:34
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STTH6003CW是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压MOSFET晶体管，采用TO-220封装形式。这款器件适用于高电压应用场合，例如开关电源、电机驱动和逆变器等。其设计旨在提供高效能表现和良好的散热性能，同时确保稳定性和可靠性。
型号：STTH6003CW
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：600V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：3A
功耗(PD)：180W
封装：TO-220
工作温度范围：-55℃ to +150℃
导通电阻(RDS(on))：≤4.5Ω at VGS=10V
STTH6003CW具有出色的电气特性和物理设计特点。
1. 高击穿电压：高达600V的漏源电压使其非常适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻：在VGS为10V时，导通电阻不超过4.5Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：由于优化了内部结构，该器件能够实现快速开启和关断，从而提高效率并减少开关损耗。
4. 稳定性：即使在极端条件下，如高温或高负载情况下，STTH6003CW也能保持稳定的性能。
5. 散热性能优越：采用标准TO-220封装，具备优秀的散热能力，方便用户进行电路设计与安装。
STTH6003CW广泛应用于多种高压电子设备中：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效转换电能。
2. 电机控制：在工业自动化和家用电器领域，用于调节电机的速度和方向。
3. 逆变器：将直流电转化为交流电，常见于太阳能发电系统和不间断电源（UPS）。
4. 负载切换：在电信基础设施中，用于保护电路免受过载影响。
5. 过压保护：在各种电子设备中起到关键的保护作用。
STTH6003CWT, STTH6003CWG
