STT217CF32 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率功率转换应用而设计,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力。STT217CF32 通常用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,提供出色的热性能和电气性能。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):170A(在 Vgs=10V 时)
导通电阻(Rds(on)):2.1mΩ(典型值,Vgs=10V)
功耗(Ptot):180W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
引脚数:8
STT217CF32 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件在 Vgs=10V 时的 Rds(on) 典型值仅为 2.1mΩ,非常适合用于高电流应用。此外,该 MOSFET 具有较高的电流处理能力,最大连续漏极电流可达 170A,使其适用于高功率密度设计。
另一个显著特点是其采用 PowerFLAT 5x6 封装,该封装具有良好的热管理性能,能够有效地将热量从芯片传导出去,从而提高器件的可靠性和使用寿命。此外,该封装还支持表面贴装工艺(SMD),便于自动化生产和 PCB 布局。
STT217CF32 的栅极驱动电压范围为 ±20V,使其兼容多种栅极驱动电路,并能在不同工作条件下保持稳定运行。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于各种严苛环境下的应用。同时,该 MOSFET 提供了较高的功率耗散能力(180W),确保在高负载条件下仍能保持良好性能。
STT217CF32 MOSFET 主要用于需要高效率和大电流处理能力的功率电子系统。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车辆(EV)充电系统以及工业自动化设备中的电源模块。此外,该器件也可用于负载开关、电源管理单元和高功率 LED 驱动电路。
在汽车电子领域,STT217CF32 可用于车载充电器、DC-DC 转换器以及启停系统中的功率控制模块。其高可靠性和优异的热性能使其成为汽车和工业应用中的理想选择。在电源管理系统中,该 MOSFET 可用于高效能电源转换和稳压电路,帮助提高整体能效并减少发热。
由于其低导通电阻和高电流能力,STT217CF32 也广泛应用于服务器电源、电信设备和 UPS(不间断电源)系统中,作为主开关或同步整流元件,提升系统的整体性能和稳定性。
STT217CF32 可以被类似规格的 MOSFET 替代,如 STT217N3LLF、STT217N3LH5、IRF1717、Si7456DP、FDMS7618 和 FDBL0170N30F。在选择替代型号时,应确保新器件的电气参数(如 Vds、Id、Rds(on))满足设计需求,并验证其封装和引脚排列是否兼容现有电路设计。