型号：STT116GK18
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：110V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：160A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：480A
　　导通电阻(RDS(on))：max 7.5mΩ @ VGS=10V, ID=80A
　　阈值电压(VGS(th))：典型值3.5V，范围2.5~4.5V
　　输入电容(Ciss)：约9500pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：约560pF
　　反向恢复时间(trr)：典型值55ns
　　工作结温(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220FP

STT116GK18采用意法半导体先进的Power MOSFET制造工艺，结合了深沟槽栅极技术和薄晶圆场截止（Field-Stop）结构，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性的平衡。这种设计显著降低了传导损耗，尤其在大电流应用场景下表现出色，有助于提高整体电源系统的能效。其最大RDS(on)仅为7.5mΩ，在同类110V N沟道MOSFET中处于领先水平，能够有效减少发热并降低散热器尺寸需求。该器件具有非常高的电流承载能力，连续漏极电流可达160A（在壳温25°C条件下），短时脉冲电流更高达480A，适合应对瞬态过载或启动冲击较大的工况。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性和可靠性。得益于优化的芯片布局与高质量封装材料，STT116GK18在高温环境下的性能衰减较小，可在高达+175°C的结温下持续工作，满足工业级和部分汽车级应用的要求。其栅极氧化层经过严格工艺控制，可承受±20V的栅源电压，提升了抗噪声干扰能力和驱动兼容性。此外，内置的快速体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr约55ns），在硬开关电路如半桥或全桥拓扑中能有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统安全性。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，经过测试验证可在非钳位感性负载条件下承受一定的重复雪崩能量，增强了在电机驱动和电感性负载切换中的鲁棒性。TO-220FP封装提供了优良的电气隔离和热传导路径，可通过散热片将热量高效传递至外部环境。同时，产品符合RoHS指令，并通过AEC-Q101认证，表明其适用于车载电源系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块等。总之，STT116GK18凭借其高性能参数、高可靠性和广泛适用性，成为现代高功率密度电源设计中的理想选择之一。

STT116GK18广泛应用于需要高效、高电流切换能力的电力电子系统中。典型用途包括工业用开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率服务器电源、电信整流器和UPS不间断电源中作为主开关或同步整流器件使用。其低导通电阻和高电流处理能力使其在DC-DC降压或升压转换器中表现优异，特别适用于多相VRM（电压调节模块）设计，以支持高性能CPU和GPU的供电需求。此外，该器件常用于太阳能光伏逆变器中的直流侧开关单元，负责将光伏阵列产生的直流电高效地转换为交流输出，在此过程中发挥着关键的能量转换作用。
　　在电机驱动领域，STT116GK18可用于电动工具、家用电器及工业自动化设备中的H桥或三相逆变电路，实现对交流或无刷直流电机的精确控制。由于其具备较强的瞬态电流承受能力，能够应对电机启动或堵转时的大电流冲击，从而保障系统运行的稳定性与安全性。在电动汽车相关应用方面，该MOSFET可应用于车载充电机（OBC）、辅助电源系统以及低压DC-DC转换器中，配合电池管理系统完成能量调度任务。
　　此外，STT116GK18也适用于各类高功率LED驱动电源、电焊机、感应加热设备等对效率和散热管理有严格要求的应用场景。其AEC-Q101车规认证进一步拓宽了其在汽车电子领域的应用前景。无论是在消费类、工业级还是汽车级系统中，该器件都能提供可靠的性能支持，帮助工程师实现更高效率、更小体积和更长寿命的电源解决方案。

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　　 "STP160N11F7",
　　 "IPB116N11N3",
　　 "IRF1610S",
　　 "FDP160N11S"
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