时间：2025/5/9 9:53:03
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STS5DNF60L 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种电源管理应用。其额定电压为 60V，适合在中低压环境中工作，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。
STS5DNF60L 的封装形式通常为 SO-8 或 DPAK，这有助于提高散热性能并简化 PCB 设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：21A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：28nC（典型值）
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
STS5DNF60L 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，减少开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 内置 ESD 保护功能，提高了抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 热稳定性好，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
STS5DNF60L 适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 降压和升压 DC-DC 转换器。
3. 电机驱动电路，特别是小型直流电机或步进电机控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品的电池充电管理。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5570N
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