时间：2025/6/4 3:16:20
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STS4NF100 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。其封装形式为TO-220，适合需要高效能和良好散热性能的应用场景。
这款MOSFET的主要特点是出色的电流处理能力与较低的导通损耗，能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：5A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：75W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
STS4NF100具备以下显著特点：
1. 低导通电阻设计，有效降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并实现高频应用。
3. 高雪崩击穿能量耐受性，确保在异常条件下也能稳定运行。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范要求。
5. 良好的热稳定性，支持高温环境下的可靠操作。
6. 封装牢固耐用，便于安装和集成到各种电路设计中。
该型号的MOSFET适用于多种领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 直流-直流转换器中的同步整流或降压升压功能。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
4. 各类电机驱动控制电路，例如步进电机或无刷直流电机驱动。
5. 工业自动化设备中的信号切换和功率放大。
6. 其他需要高效功率开关的应用场景，如LED驱动和太阳能逆变器等。
IRFZ44N, FQP50N06L
