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STS4NF100 发布时间 时间:2025/6/4 3:16:20 查看 阅读:4

STS4NF100 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。其封装形式为TO-220,适合需要高效能和良好散热性能的应用场景。
  这款MOSFET的主要特点是出色的电流处理能力与较低的导通损耗,能够显著提高系统的效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:5A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):90mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:75W
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

STS4NF100具备以下显著特点:
  1. 低导通电阻设计,有效降低传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速开关能力,有助于减少开关损耗并实现高频应用。
  3. 高雪崩击穿能量耐受性,确保在异常条件下也能稳定运行。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范要求。
  5. 良好的热稳定性,支持高温环境下的可靠操作。
  6. 封装牢固耐用,便于安装和集成到各种电路设计中。

应用

该型号的MOSFET适用于多种领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 直流-直流转换器中的同步整流或降压升压功能。
  3. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
  4. 各类电机驱动控制电路,例如步进电机或无刷直流电机驱动。
  5. 工业自动化设备中的信号切换和功率放大。
  6. 其他需要高效功率开关的应用场景,如LED驱动和太阳能逆变器等。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L

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STS4NF100参数

  • 其它有关文件STS4NF100 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-8043-6