STS4NF100 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。其封装形式为TO-220,适合需要高效能和良好散热性能的应用场景。
这款MOSFET的主要特点是出色的电流处理能力与较低的导通损耗,能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:5A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):90mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:75W
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
STS4NF100具备以下显著特点:
1. 低导通电阻设计,有效降低传导损耗,提升整体系统效率。
2. 快速开关能力,有助于减少开关损耗并实现高频应用。
3. 高雪崩击穿能量耐受性,确保在异常条件下也能稳定运行。
4. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范要求。
5. 良好的热稳定性,支持高温环境下的可靠操作。
6. 封装牢固耐用,便于安装和集成到各种电路设计中。
该型号的MOSFET适用于多种领域,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 直流-直流转换器中的同步整流或降压升压功能。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
4. 各类电机驱动控制电路,例如步进电机或无刷直流电机驱动。
5. 工业自动化设备中的信号切换和功率放大。
6. 其他需要高效功率开关的应用场景,如LED驱动和太阳能逆变器等。
IRFZ44N, FQP50N06L