类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.0A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：34mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@ VDS=15V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

STS3404采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，确保了其在同类P沟道器件中具备优异的导通性能与开关响应速度。其最大漏源电压为-30V，能够满足大多数低压直流系统的应用需求，尤其是在电池供电系统中表现出色。该器件的关键优势之一是其极低的导通电阻，在VGS = -10V条件下，RDS(on)典型值仅为28mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。即使在较低的栅极驱动电压下（如-4.5V），其导通电阻仍保持在34mΩ的较低水平，表明其对驱动电路的要求较为宽松，适用于由逻辑信号直接驱动的场景。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，意味着在栅极施加适度负压即可实现有效导通，增强了其在低电压控制系统中的适用性。此外，STS3404具备较高的连续漏极电流承载能力（-4.0A），并能承受高达-12A的脉冲电流，使其能够在瞬态负载变化或启动冲击电流较大的应用中稳定运行。输入电容为600pF左右，保证了较快的开关速度，同时不会对驱动电路造成过重负担。
　　热性能方面，STS3404的工作结温可达+150°C，具备良好的高温可靠性，适合在严苛环境条件下长期工作。其SOT-23封装不仅体积小巧，有助于节省PCB空间，而且具有较好的散热性能，通过合理布局可实现有效的热管理。该器件还具备较强的抗静电能力（ESD保护），提升了在生产装配和实际使用过程中的鲁棒性。综合来看，STS3404在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于现代便携式电子设备的理想功率开关元件。

STS3404广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。最常见的应用场景包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能待机或热插拔保护。由于其P沟道特性，特别适合用于高端开关（High-side Switch）配置，在电池供电系统中可以直接通过控制栅极电压来开启或关闭负载，而无需复杂的电平移位电路或电荷泵驱动器，简化了设计复杂度并降低成本。
　　在电池管理系统（BMS）或充电保护电路中，STS3404可用于实现过流保护、短路保护和反向电流阻断功能，保障电池安全。此外，它也常被用作DC-DC转换器中的同步整流开关或电源路径管理中的主控开关，提升转换效率。在USB电源开关、移动电源输出控制、LED背光驱动电路以及各类IoT设备的电源管理单元中，STS3404凭借其低导通电阻和快速响应能力，能够有效减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　由于其SOT-23小封装特性，该器件非常适合高密度PCB布局，广泛应用于可穿戴设备、无线耳机、智能手表、电子书阅读器等对空间极为敏感的产品中。同时，其稳定的电气特性和宽泛的工作温度范围也使其适用于工业控制、汽车电子外围模块（非引擎舱）等对可靠性有一定要求的领域。总之，STS3404是一款通用性强、适应面广的P沟道MOSFET，适用于多种低压直流开关控制任务。

AO3401, AOD3401, Si2301, FDN340P, BSS84