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STS15N4LLF3 发布时间 时间:2025/6/13 12:53:29 查看 阅读:7

STS15N4LLF3 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 LFPAK56 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于各种功率转换和电机驱动等场景。其设计注重降低开关损耗和导通损耗,适合在高频率和高电流条件下使用。
  该 MOSFET 的主要特点是其出色的热性能和电气性能,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。同时,STS15N4LLF3 符合 RoHS 标准,适用于环保型设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷(典型值):39nC
  总耗散功率:107W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:LFPAK56

特性

STS15N4LLF3 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,使其能够在要求苛刻的应用中表现出色。
  3. 快速开关性能,降低了开关损耗,并支持高频操作。
  4. 优异的热性能,保证了器件在高温环境下的稳定运行。
  5. 紧凑的封装尺寸,便于实现高密度设计。
  6. 良好的 ESD 保护能力,增强了产品的可靠性。
  7. 支持表面贴装技术(SMD),简化了生产流程并提高了制造效率。

应用

STS15N4LLF3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC/DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的功率级模块。
  5. 消费类电子产品中的负载切换。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  7. LED 驱动器和其他功率管理应用。

替代型号

STM15N4LLF3
  IRF7729TRPBF
  AO4404A

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STS15N4LLF3参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2530pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-8488-6