STS10N3LH5 时间：2025/7/23 0:10:03 阅读：6

STS10N3LH5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用了先进的STripFET? F7技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），同时在高频开关条件下表现出色。STS10N3LH5广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及各种电源管理系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：10A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：最大值为8.5mΩ
　　漏源导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：最大值为12.5mΩ
　　功耗（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

STS10N3LH5的主要特性之一是其极低的Rds(on)，这使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高整体系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）也非常低，有助于在高频开关应用中减少开关损耗。此外，它具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　另一个重要特性是其先进的封装技术，PowerFLAT 5x6封装提供了优异的热管理和小型化设计，适用于空间受限的高密度PCB布局。该封装还具有较低的热阻（Rth），有助于将热量迅速传导至PCB，从而延长器件的使用寿命。
　　STS10N3LH5的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动，适用于多种控制电路设计。其内部结构优化减少了交叉传导效应，提高了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，该MOSFET具备较高的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护作用。

应用

STS10N3LH5主要应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高频特性，它也常用于高效率的开关电源（SMPS）和LED照明驱动电路中。
　　此外，该器件适用于需要低导通损耗和快速开关特性的应用，如电信设备、服务器电源、便携式电子设备的电源管理单元以及新能源汽车中的辅助电源系统。其优异的热管理能力也使其在高温环境下仍能稳定工作，适用于严苛的工业和车载环境。