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STS10N3LH5 发布时间 时间:2025/7/23 0:10:03 查看 阅读:6

STS10N3LH5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用了先进的STripFET? F7技术,具有极低的导通电阻(Rds(on)),同时在高频开关条件下表现出色。STS10N3LH5广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及各种电源管理系统中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id)@25°C:10A
  漏源导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V:最大值为8.5mΩ
  漏源导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V:最大值为12.5mΩ
  功耗(Ptot):30W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

STS10N3LH5的主要特性之一是其极低的Rds(on),这使得在导通状态下的功率损耗显著降低,从而提高整体系统效率。该器件的栅极电荷(Qg)也非常低,有助于在高频开关应用中减少开关损耗。此外,它具有良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。
  另一个重要特性是其先进的封装技术,PowerFLAT 5x6封装提供了优异的热管理和小型化设计,适用于空间受限的高密度PCB布局。该封装还具有较低的热阻(Rth),有助于将热量迅速传导至PCB,从而延长器件的使用寿命。
  STS10N3LH5的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至10V的栅极驱动,适用于多种控制电路设计。其内部结构优化减少了交叉传导效应,提高了系统的可靠性和抗干扰能力。此外,该MOSFET具备较高的雪崩耐受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定的保护作用。

应用

STS10N3LH5主要应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中,例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高频特性,它也常用于高效率的开关电源(SMPS)和LED照明驱动电路中。
  此外,该器件适用于需要低导通损耗和快速开关特性的应用,如电信设备、服务器电源、便携式电子设备的电源管理单元以及新能源汽车中的辅助电源系统。其优异的热管理能力也使其在高温环境下仍能稳定工作,适用于严苛的工业和车载环境。

替代型号

建议的替代型号包括STL10N3LLH5、FDMS86180、SiR142DP、IPD90N3L3-03、STMH10K3LLHAG

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STS10N3LH5参数

  • 其它有关文件STS10N3LH5 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds475pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10010-6