时间：2025/9/11 4:24:00
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STS104B是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的双P沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高侧开关、电源管理和负载开关等应用。该器件采用5引脚DFN（Dual Flat No-leads）封装，具有低导通电阻和高可靠性，适用于各种便携式电子设备和汽车电子系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4A
导通电阻（RDS(on)）：80mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：5-DFN
STS104B具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持从-12V到+12V的栅源电压操作，使其适用于多种控制电路。此外，STS104B具备良好的热稳定性，得益于其优异的热阻性能和小型DFN封装设计，能够在高功率密度环境中保持稳定运行。
该器件还内置了ESD（静电放电）保护功能，增强了在复杂电磁环境下的抗干扰能力。其封装设计符合RoHS标准，无铅且环保，适合现代电子制造的环保要求。STS104B的高集成度和小尺寸设计，使其在空间受限的应用中具有显著优势。
STS104B适用于多种电子系统和设备，特别是在需要高效能和低功耗的应用中。常见应用包括电池供电设备的电源管理、负载开关控制、DC-DC转换器、电机驱动电路以及汽车电子系统中的高侧开关。此外，该MOSFET也常用于工业自动化设备、便携式电子产品和智能家电的电源管理模块。
STB104B, FDMS3610, Si3442DV
