类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：80A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ（最大值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：H2PAK（双排散热封装）

STRH100N10HYG的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力以及出色的热管理性能。该器件的RDS(on)仅为10.5mΩ，这意味着在高电流条件下导通损耗极低，有助于提升整体系统效率。此外，STRH100N10HYG能够在高温度环境下稳定运行，其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于严苛的工作环境。H2PAK封装设计提供了优异的散热性能，确保了在高功率应用中的可靠性和稳定性。
　　STRH100N10HYG还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了功率转换效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路更容易设计并减少了开关延迟。此外，其高雪崩耐量和坚固的结构设计使其在过载或瞬态条件下具有良好的耐受能力，从而增强了系统的可靠性。
　　该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其在需要高可靠性的工业和汽车应用中尤为适用。

STRH100N10HYG广泛应用于各种高功率和高效率电源管理系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等。
　　在DC-DC转换器中，STRH100N10HYG可用于同步整流器或主开关，以提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可作为功率开关，用于控制电机的速度和方向。其低RDS(on)和高电流能力使其在高负载条件下表现出色。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，STRH100N10HYG也非常适合用于紧凑型电源模块和高密度电源系统中。在这些应用中，空间限制较为严格，因此需要具有高效散热能力的功率器件。

STP80N10F7, IRF1324S-7PPBF, IPW90R120I3