时间：2025/7/22 7:38:56
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STQ1HNK60R-AP 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能功率MOSFET器件。该器件基于先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）技术，具有低导通损耗和开关损耗，适用于高效率的功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω
栅极电荷（Qg）：典型值为2.5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220FP
STQ1HNK60R-AP 采用先进的Trench Field-Stop技术，使其在高电压条件下具有出色的导通和开关性能。该器件的低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET的低栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
该器件的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于需要高可靠性的工业和消费类应用。其坚固的结构设计使其能够在严苛的工作环境中稳定运行，例如高温或高湿度环境。
STQ1HNK60R-AP还具备优异的抗雪崩能力和过载保护能力，确保在极端条件下的稳定运行。这些特性使其成为高效率电源转换器、LED照明驱动器、电机控制电路以及工业自动化设备的理想选择。
STQ1HNK60R-AP 主要用于高效能的电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制电路、工业自动化设备以及各种高电压功率转换应用。其高效的性能和稳定的封装设计使其在高要求的工业环境中表现出色。
STQ1HNK60R-AP 的替代型号包括 STQ1HNK60R 和 STQ1HNK60R-TR。
