时间：2025/7/22 14:04:05
阅读：12
STPTIC-27G2H5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高效能、高可靠性的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关电源应用设计。该器件采用了先进的STripFET?技术，提供了优异的导通和开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏源电压（VDS）：250V
导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：130nC
最大功耗（PD）：300W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
STPTIC-27G2H5具有低导通电阻，能够在高电流下保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。其优化的封装设计增强了散热能力，确保在高功率工作条件下稳定运行。
该MOSFET采用了STripFET?技术，结合了深沟槽和电场调节技术，有效降低了开关损耗，同时提高了器件的雪崩能量承受能力，增强了整体的耐用性和可靠性。
此外，STPTIC-27G2H5的栅极驱动特性优化，适用于高频开关操作，有助于减小电源系统的体积和重量，提升整体功率密度。其高抗干扰能力和优良的热稳定性使其在恶劣工作环境下依然表现优异。
该器件还具备良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
STPTIC-27G2H5广泛应用于各类高功率密度电源系统，如服务器电源、通信电源、工业电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电机驱动系统。此外，该器件也适用于电动汽车充电设备、储能系统和高效率开关电源（SMPS）中，为系统提供高效的功率转换和稳定的性能保障。
STP150N250A, STP160N250A, STP175N250A
