时间：2025/5/13 9:13:04
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STPSC40065CW 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制造工艺，专为高效率、低功耗的应用而设计。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（V(BR)DSS）和快速开关性能，适用于多种电源管理场景。
STPSC40065CW 常用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场合。其封装形式为 TO-220AC，具有良好的散热性能和机械稳定性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
导通电阻（Rds(on)）：1.3Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极-源极电压范围：-20V 至 +20V
总功耗：18W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
STPSC40065CW 的主要特点包括：
1. 高击穿电压 (650V)，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (1.3Ω)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 可靠性高，经过严格的测试流程以确保长期稳定运行。
6. 封装形式为 TO-220AC，便于安装和散热设计。
STPSC400领域：
1. 开关电源（SMPS），例如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和能量转换。
3. 电机驱动，尤其是小型直流电机控制。
4. 电子负载保护电路。
5. 各类工业设备中的功率管理模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款芯片成为许多工程师在设计中首选的功率 MOSFET。
STPSC40065C, IRF540N, FQP17N60
