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STPSC20H065CW 发布时间 时间:2025/5/13 15:21:38 查看 阅读:22

STPSC20H065CW是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-247封装,广泛用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率切换的应用场景。其设计特点是具备低导通电阻和快速开关性能,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  STPSC20H065CW为N沟道增强型MOSFET,适用于高频开关应用。它通过优化的制造工艺实现了卓越的电气特性和热性能,从而确保在高负载条件下稳定运行。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:45nC
  总电容(输入电容):3500pF
  最大工作结温:175°C
  存储温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247

特性

STPSC20H065CW的主要特性包括:
  1. 高击穿电压(650V),适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻(0.18Ω),减少导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷(45nC),有助于提高工作效率。
  4. 良好的热性能,支持长时间高温运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 大电流承载能力(20A),适用于多种功率处理场景。
  这些特点使STPSC20H065CW成为工业和消费类电子领域中理想的选择。

应用

STPSC20H065CW主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
  2. DC-DC转换器及逆变器。
  3. 工业电机控制与驱动电路。
  4. 太阳能逆变器和电动汽车中的功率管理模块。
  5. 电磁阀驱动和负载切换。
  6. 高压和大电流要求的通用功率转换应用。
  由于其出色的电气性能和可靠性,STPSC20H065CW被广泛应用于各种对效率和耐用性有严格要求的场景。

替代型号

STPSC20H065C, IRFP250N, FQA20N65C

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STPSC20H065CW参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥64.39000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.75 V @ 10 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 650 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 175°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247