时间：2025/5/13 15:21:38
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STPSC20H065CW是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-247封装，广泛用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率切换的应用场景。其设计特点是具备低导通电阻和快速开关性能，能够显著降低功耗并提高系统效率。
STPSC20H065CW为N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关应用。它通过优化的制造工艺实现了卓越的电气特性和热性能，从而确保在高负载条件下稳定运行。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
总电容（输入电容）：3500pF
最大工作结温：175°C
存储温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
STPSC20H065CW的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
2. 低导通电阻（0.18Ω），减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷（45nC），有助于提高工作效率。
4. 良好的热性能，支持长时间高温运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 大电流承载能力（20A），适用于多种功率处理场景。
这些特点使STPSC20H065CW成为工业和消费类电子领域中理想的选择。
STPSC20H065CW主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. DC-DC转换器及逆变器。
3. 工业电机控制与驱动电路。
4. 太阳能逆变器和电动汽车中的功率管理模块。
5. 电磁阀驱动和负载切换。
6. 高压和大电流要求的通用功率转换应用。
由于其出色的电气性能和可靠性，STPSC20H065CW被广泛应用于各种对效率和耐用性有严格要求的场景。
STPSC20H065C, IRFP250N, FQA20N65C
