时间：2025/5/8 18:43:40
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STPS30L60CT是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效功率控制的场景中。这款MOSFET以其低导通电阻和高耐压能力而著称，能够显著减少功率损耗并提高系统效率。
STPS30L60CT的主要特点是其60V的漏源极击穿电压（Vds），这使其能够在多种中低压应用场景下稳定工作。同时，该器件的连续漏极电流（Id）高达30A（在25℃时），保证了强大的负载能力。此外，它的栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，便于与各类驱动电路兼容。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：45nC（典型值）
输入电容：1800pF（典型值）
功耗：180W（在Tc=25℃时）
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
1. 高效的功率转换能力，得益于其超低的导通电阻，可大幅降低导通损耗。
2. 优秀的热性能表现，适合长时间运行于高功率应用中。
3. 宽泛的工作温度范围，能够适应各种严苛环境条件。
4. 稳定的电气特性，确保在动态负载条件下的一致性。
5. TO-220封装提供良好的散热性能和易于安装的便利性。
6. 栅极驱动要求适中，简化了驱动电路的设计难度。
7. 符合RoHS标准，绿色环保，适用于现代电子产品需求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级控制。
3. 各类电机驱动应用，例如步进电机、直流无刷电机等。
4. 工业设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关应用。
6. 汽车电子系统中的负载开关或保护电路。
7. 快速充电器和其他消费类电子产品中的功率管理部分。
IRFZ44N, STP30NF60, FDP5500
