STPF2010CT 时间：2025/9/6 8:26:16 阅读：26

STPF2010CT是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适合用于DC-DC转换器、电池充电系统和负载开关等应用。STPF2010CT采用TO-220AB封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于工业和汽车电子等高可靠性要求的场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：19A
　　功耗（PD）：150W
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：60mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

STPF2010CT具有多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率，特别适用于高电流应用场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了电场分布，提高了开关速度和稳定性。
　　其次，STPF2010CT具备较高的电流和功率处理能力，在19A的连续漏极电流下仍能保持良好性能，适合用于高功率密度设计。其TO-220AB封装形式具备良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET具有宽泛的栅极电压范围（±20V），支持灵活的驱动方式，并具备良好的抗雪崩能力和过热耐受性，适用于工业控制、汽车电子、消费类电源和电机驱动等多种高要求应用场景。

应用

STPF2010CT广泛应用于多种电力电子系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、负载开关和电源管理模块等。在工业自动化设备中，该器件可用于高效能开关电源和变频器控制，提升系统整体效率与稳定性。
　　在汽车电子领域，STPF2010CT可应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及LED照明驱动电路，满足汽车环境对高温、高可靠性的严苛要求。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品中的高效电源适配器、UPS（不间断电源）系统和储能设备中的功率控制电路，确保产品在高负载条件下仍能保持稳定运行。