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STPF1020CTN 发布时间 时间:2025/9/5 21:53:03 查看 阅读:5

STPF1020CTN 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能双N沟道功率MOSFET,采用先进的PowerFLAT封装技术,适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能,适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他高功率电子设备。

参数

类型:双N沟道功率MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):20V
  最大连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):12mΩ @ VGS = 4.5V
  栅极电荷(Qg):13nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  功耗(Ptot):3.5W

特性

STPF1020CTN 的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的热管理能力。其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,特别适合高频率开关应用。该器件采用双MOSFET结构,使得两个通道能够在独立控制下工作,提高了设计的灵活性。PowerFLAT封装不仅提供了优良的散热性能,还支持表面贴装工艺,有助于提高PCB布局的紧凑性。
  此外,该MOSFET具备优异的雪崩能量承受能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其栅极驱动电压兼容广泛的标准逻辑电平,简化了与控制器的接口设计。STPF1020CTN 的短路耐受能力和过温保护特性也使其在高要求的工业和汽车应用中表现出色。

应用

STPF1020CTN 广泛应用于各类功率电子系统,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、电源管理单元(PMU)以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的热性能,该器件也常用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。

替代型号

[
   "STL10N20F7",
   "STL10N20LF7AG",
   "STL10N20LFD7AG"
  ]

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