时间：2025/7/23 4:28:15
阅读：3
STPCD0175BTI3 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款功率晶体管，属于N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流和高功率应用，具有良好的导通特性和热稳定性，适用于工业控制、电机驱动、电源转换等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：175V
漏极电流（Id）：连续17A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为100mΩ
功率耗散（Ptot）：170W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
STPCD0175BTI3 采用了先进的功率MOSFET制造技术，具有低导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其高耐压能力（175V）使其适用于中高功率电源系统。该器件还具备良好的热管理能力，能够在高电流条件下保持稳定运行，延长了使用寿命。此外，STPCD0175BTI3 的TO-247封装形式提供了良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。
此MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其高可靠性和稳定性使其在严苛的工业环境中也能保持良好的性能。同时，STPCD0175BTI3 还具备过温保护和过流保护功能，进一步增强了系统的安全性。
STPCD0175BTI3 广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于电机驱动器、电源供应器、DC-DC转换器、逆变器、工业自动化控制系统以及电动汽车充电设备等。其高电流能力和良好的热稳定性使其成为高性能电源管理系统中的关键组件。
STP17N175FP, STP17N175DP, STP17N175DJ
