STP9NK65ZFP是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-247封装形式,适用于高电压、高电流的开关应用场合。
STP9NK65ZFP采用了先进的MDmesh?技术,具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,从而提升了效率并降低了功耗。其主要应用于工业设备、电源供应器、电机驱动等领域。
型号:STP9NK65ZFP
封装:TO-247
Vds(漏源极耐压):650V
Rds(on)(导通电阻):1.3Ω(在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):9A
Pd(总功耗):180W
Qg(栅极电荷):28nC
结温范围:-55°C至+150°C
STP9NK65ZFP具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:能够承受高达650V的漏源极电压,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:在Vgs为10V时,Rds(on)仅为1.3Ω,有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能:由于栅极电荷较低(28nC),开关速度较快,适合高频开关应用。
4. 良好的热性能:TO-247封装提供了良好的散热能力,可有效降低器件温度。
5. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在各种恶劣环境下稳定工作。
STP9NK65ZFP广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管使用。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或步进电机的运转。
3. 工业逆变器:实现交流与直流之间的转换。
4. LED驱动器:用于高亮度LED的恒流驱动。
5. 电池管理系统(BMS):保护电路中的关键元件,防止过流或短路。
6. 电磁阀控制:用于精确控制电磁阀的开启和关闭。
STP9NF65, STP9NK65ZF