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STP9NK65ZFP 发布时间 时间:2025/6/11 21:11:23 查看 阅读:9

STP9NK65ZFP是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-247封装形式,适用于高电压、高电流的开关应用场合。
  STP9NK65ZFP采用了先进的MDmesh?技术,具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,从而提升了效率并降低了功耗。其主要应用于工业设备、电源供应器、电机驱动等领域。

参数

型号:STP9NK65ZFP
  封装:TO-247
  Vds(漏源极耐压):650V
  Rds(on)(导通电阻):1.3Ω(在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):9A
  Pd(总功耗):180W
  Qg(栅极电荷):28nC
  结温范围:-55°C至+150°C

特性

STP9NK65ZFP具有以下显著特点:
  1. 高击穿电压:能够承受高达650V的漏源极电压,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻:在Vgs为10V时,Rds(on)仅为1.3Ω,有助于减少导通损耗。
  3. 快速开关性能:由于栅极电荷较低(28nC),开关速度较快,适合高频开关应用。
  4. 良好的热性能:TO-247封装提供了良好的散热能力,可有效降低器件温度。
  5. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在各种恶劣环境下稳定工作。

应用

STP9NK65ZFP广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管使用。
  2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或步进电机的运转。
  3. 工业逆变器:实现交流与直流之间的转换。
  4. LED驱动器:用于高亮度LED的恒流驱动。
  5. 电池管理系统(BMS):保护电路中的关键元件,防止过流或短路。
  6. 电磁阀控制:用于精确控制电磁阀的开启和关闭。

替代型号

STP9NF65, STP9NK65ZF

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STP9NK65ZFP参数

  • 其它有关文件STP9NK65ZFP View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 3.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1145pF @ 25V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-12621-5STP9NK65ZFP-ND